Publikované pred rokom: 09.09.2010 / Tlačový servis PCR , čítaní: 3255
Spoločnosť HP oznámila uzavretie dohody o spoločnom vývoji s popredným svetovým dodávateľom pamätí Hynix Semiconductor Inc. Predmetom spolupráce bude výroba nového prvku obvodov – memristora, ako aj jeho integrácia do pamäťových produktov.
HP a Hynix budú spoločne vyvíjať nové materiály a integračné procesy, ktoré umožnia komerčný vývoj tzv. rezistívnej pamäte s náhodným prístupom (Resistive Random Access Memory, ReRAM).
Riešenie ReRAM predstavuje trvalú pamäť s nízkou spotrebou energie a potenciálom nahradiť dnešné pamäte flash, používané v mobilných telefónoch a MP3 prehrávačoch, či slúžiť ako univerzálne pamäťové médium. Táto pamäť sa teda môže správať ako flash, DRAM alebo napríklad aj pevný disk.
Memristory vyžadujú na prevádzku menej energie, sú rýchlejšie ako súčasné technológie solid-state pamätí a dokážu uchovávať informácie aj bez napájania. Memristor alebo pamäťový odpor definoval ako štvrtý základný prvok obvodov profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roku 1971 a prvýkrát ho experimentálne preukázali vedci z HP Labs v roku 2006.
HP začiatkom tohto roka oznámilo, že memristor môže riešiť aj logické funkcie. Spoločnosť tak preukázala, že zariadenia založené na memristoroch by mohli zmeniť štandardnú paradigmu výpočtovej techniky tým, že umožnia vykonávať výpočty v rovnakých čipoch, v ktorých sú uložené dáta, a nielen v samostatnej centrálnej procesorovej jednotke.
Dr. S. W. Park, výkonný viceprezident a technologický riaditeľ spoločnosti Hynix: „Možnosti úložnej kapacity memristorov mnohonásobne presahujú to, čo dnes ponúkajú iné technológie. Využitím technológie memristorov môžeme zákazníkom priniesť nové, rýchlejšie, energeticky úsporné produkty.“
Zdroj: TS HP
Dĺžka:00:16:42
Dĺžka:00:28:37
Dĺžka:00:10:04
Dĺžka:00:32:25