Publikované pred 5 mesiacmi: 15.12.2011 / Branislav Madoš, čítaní: 2700
Spoločnosť Micron Technology oznámila, že do dvoch rokov začne produkovať nové pamäťové čipy s názvom Hybrid Memory Cube (HMC), pričom pri ich výrobe použije komerčný výrobný proces dodaný spoločnosťou IBM, umožňujúci vytváranie vodivých ciest medzi vrstvami kremíka (Through Silicon Vias - TSV).
Architektúra HMC pozostáva z jednej vrstvy logických obvodov, umiestnenej v spodnej časti čipu, a z viacerých vrstiev čipov DRAM, uložených na nej. Vertikálne prepojenia medzi jednotlivými stohovanými vrstvami čipov DRAM, ako aj medzi vrstvou DRAM a logickou vrstvou sú tvorené pomocou TSV. Úlohou logickej vrstvy čipu je sprístupňovanie jednotlivých bitov informácie uloženej v pamäťových bunkách vrstiev DRAM.
Vďaka tejto architektúre je čip HMC až 15-krát rýchlejší ako súčasné pamäťové obvody DDR3. Vyrobené prototypy dosiahli v testovacej prevádzke prenosovú rýchlosť dát na úrovni 128 GB/s, čo je až 10-násobne viac oproti súčasným pamätiam. Spotrebúvali pritom až o 70 % menej energie na jeden bit ako pamäte DDR3 a ich pôdorys bol dokonca až 10-násobne menší oproti pamätiam RDIMM.
Táto revolučná architektúra pamäťového čipu reprezentuje významnú zmenu v konštrukcii pamäťových obvodov, pretože predstavuje prechod od 2D čipov, ktorých možnosti ďalšieho kapacitného a výkonnostného rastu sa vyčerpávajú, k 3D. Umožňuje tak nárast výkonnosti zariadení a kapacít ich pamätí naprieč celým spektrom počítačových systémov, počínajúc superpočítačmi cez bežné stolové počítače až po prenosné počítače a tablety, prípadne aj inteligentné mobilné telefóny.
Na podporu rozvoja HMC vzniklo z iniciatívy spoločností Samsung a Micron Technology v októbri tohto roka konzorcium Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), združujúce spoločnosti Altera Corporation, IBM, Micron Technology, Open-Silicon, Samsung Electronics a Xilinx.
Zdroj: Micron Technology
Dĺžka:00:25:58
Dĺžka:00:17:22
Dĺžka:00:07:11
Dĺžka:00:22:22